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HB2105系列扩散硅多功能单片集成敏感芯片
沈阳仪表科学研究院 发布时间:07-10-08 16:06:28 点击次数:

特点:

 

·采用微电子和微机械加工融合技术制作

·单晶硅4"晶圆、PN结电隔离

·单片集成2个电桥和1个扩散电阻

·1个扩散电阻同步反应电桥的温度

·双矩形敏感膜片同时测量相对压力、绝对压力

 

主要技术指标:

 

序号
项目
相对压力
绝对压力
温度
1
基准量程
40KPa、100KPa、400KPa、1000KPa
4MPa、10MPa、16MPa
-30〜+80℃
2
桥路电阻
5(1±20%)KΩ
10(1±20%)kΩ
25(1±20%)kΩ
3
零点失调
≤20mV
≤30mV
4
满量程输出
≥50mV
≥50mV
≥15Ω/℃
5
过载能力
1.5倍基准量程
2倍基准量程
 
8
线性度
±0.25%FS(其它基准量程)
 ±0.5%FS(40KPa)
9
零点温度影响
±0.1%FS/℃
10
满量程温度影响
±0.1%FS/℃
11
短期稳定性
±0.05%FS/8h
12
供电电源
恒流1(1±50%)mA,  恒压5(1±10%)VDC
13
工作温度
-45~+100℃
14
芯片尺寸(a×b×c)
4050×3450×400

 

注:1.非线性数据计算为最小二乘法。

   2. 其余测试为255VDC恒压测试

   3. 零点、满量程、温度影响值均相对251mA流测试

   4. 连接焊盘:铝电极

 

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