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HB2103系列硅压阻敏感芯片
沈阳仪表科学研究院 发布时间：07-08-27 14:03:07 点击次数：



 

特点：

·CAD设计、微电子和微机械加工技术融合制造
·闭合、单开、双开硅电阻电桥连接形式
·矩形、圆形弹性感压膜片构造
·恒流激励灵敏度温度自补偿功能
·反向PN结电隔离构造、玻璃绝缘衬片
·适用于表压、绝压、差压、负压测量
·覆盖低、中、高压力范围
 
主要技术指标
序号
项目
规格指标
1
基准压力量程
相对压力
绝对压力
 20Kpa、35kPa、100kPa、250kPa、600kPa、1MPa、1.6MPa、2.5MPa
100 kPa、250kPa、 600kPa、1MPa、1.6MPa、2.5MPa、6Mpa*、10MPa*、25MPa*、40MPa*、60MPa*、100MPa*
2
芯片面积尺寸（um）
2700×3450
2700×3450   2450×2450*
3
过载能力
2倍基准压力量程（≤10MPa）；
1.5倍基准压力量程（>10MPa）
4
桥路电阻
5（1±20%）KΩ
5
零点失调
≤30mV@1mV
6
满量程输出
≥30mV（≤35KPa）；
≥60mV（其它基准量程）
7
线性度
±0.25%FS
8
零点温度影响
±0.1%FS/℃
9
满量程温度影响
±0.1%FS/℃（≤35KPa）
±0.05%FS/℃（其它基准量程）
10
短期稳定性
±0.05%FS/8h
11
供电电源
恒流 1mA或恒压5（1±10%）VDC
12
工作温度
-45～+100℃

注：1.非线性数据计算方法为最小二乘法。

    2.短期稳定性为25℃、5VDC恒压测试。

    3.其余测试值均相对25℃、1mA恒流测试。

    4. 硅片厚度c=400um、玻璃厚度d=850um。
 
  
 
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