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HB2104系列SOI硅压阻敏感芯片
沈阳仪表科学研究院 发布时间:07-08-30 15:47:12 点击次数:


 特点:

·采用微电子和微机械加工技术制作

·SIMOX4"晶圆、SiO2绝缘膜电隔离

·彻底消除PN结本征漏电

·耐高温、低温、辐照,高稳定、长寿命

·恒流源激励灵敏度免补偿

·多种敏感膜片形式

·PYREX7740玻璃阳极键合 

主要技术指标 

序号

项目

相对压力

绝对压力

1

基准量程

35KPa100KPa200KPa400KPa1MPa2MPa

100KPa200KPa400KPa1MPa2MPa4MPa*10MPa*25MPa*40MPa*60MPa*

2

芯片尺寸a×b

3340×3340

3340×3340     2450×2450*

3

过载能力

2倍基准量程(10MPa

1.5倍基准量程(>10MPa

4

桥路电阻

41±20%KΩ

5

零点失调

20mV

6

满量程输出

60mV   

40mV35KPa

7

线性度

±0.25%FS 

8

零点温度影响

±0.1%FS/

9

满量程温度影响

±0.1%FS/

10

短期稳定性

±0.05%FS/8h

11

供电电源

恒流 1mA或恒压51±10%VDC

12

工作温度

-55+125(铝电极焊盘)

-55+300(特殊定制、金电极焊盘)

注:1.非线性数据计算为最小二乘法。

2.测试值均相对255VDC恒压

3.芯片厚度c=500 um、玻璃厚度d=850 um

 

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