HB2166系列硅压阻复合压力传感器采用硅集成压阻芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，能够同时实现对现场中的差压、静压、温度等参数进行测量，具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。采用四膜片静压和过载保护结构，全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装及标准差压容室接口，可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数，广泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。
主要技术指标
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序号 |
项目 |
差压 |
静压 |
温度 |
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1 |
基准量程 |
40KPa、100KPa、400KPa、1000KPa |
10MPa、16MPa |
-30〜+80℃ |
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2 |
桥路电阻 |
5（1±20%）KΩ |
10（1±20%）KΩ |
25（1±20%）KΩ |
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3 |
零点失调 |
≤20mV |
≤30mV |
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4 |
满量程输出 |
≥50mV |
≥50mV |
≥15Ω/℃ |
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5 |
静态精度 |
±0.1%FS ±0.25%FS ±0.5%FS |
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8 |
零点温度影响 |
±0.1%FS/℃ |
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9 |
满量程温度影响 |
±0.05%FS/℃ |
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10 |
长期稳定性 |
±0.1%FS/年，±0.2%FS/年 |
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11 |
静压影响 |
±0.2%FS/10MPa；±0.5%FS/10MPa；±1%FS/10MPa； |
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12 |
供电电源 |
恒流1（1±50%）mA， 或恒压5（1±10%）V DC |
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13 |
绝缘电阻 |
≥100MW(100V DC) |
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14 |
工作温度 |
-10～+60℃、-30～+80℃ | |
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