HB2188系列硅电容差压传感器采用硅电容差压敏感芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，层迭对称结构，采用差动电容原理检测压力信号，具有全固态，高精度，高可靠性，高稳定性，温度范围宽，温度、静压影响小，单向过载特性优异，易于后部数字化处理等特点。它采用全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装、标准差压容室接口。可用于测量液体、气体的差压、流量等参数，可作为过程控制领域用差压变送器的核心部件。广泛应用于石油、化工、电力、冶金、轻工、食品、环保、锅炉控制、带压容器测量等

主要技术指标

序号	项目	技术指标
1	基准量程	6kPa	32kPa，130kPa，500kPa
2	工作温度	-30～+80℃   -40～+85℃
3	基础电容	50pF±10pF
4	电容偏差	≤5pF
5	电容增量	≥20%基础电容
6	绝缘电阻	≥200MW（100VDC）
7	静压影响	±0.1%FS/3.2MPa ±0.1%FS/10MPa ±0.25%FS/10MPa	±0.075%FS/10MPa ±0.25%FS/10MPa
8	长期稳定性	±0.1%FS/年，±0.2%FS/年